4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善

在其他条件不变的情况下，增加偏置电源功率可以消除微沟槽效应，但是这会导致深槽侧壁粗糙度的增加。增加腔室压强时，微沟槽效应也可以被消除，沟槽侧壁的形貌也会得到一定程度的改善。而且，腔室压强的增加也能获得更高的 SiC/Ni 刻蚀选择比，这意味着增加腔室压强更适合于消除微沟槽效应并且获得较低的深槽侧壁粗糙度。

Further reading: 董志华,刘辉,曾春红,张璇,孙玉华,崔奇,程知群,张宝顺.4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善[J].固体电子学研究与进展,2022,42(03):239-243.